Układy pamięci nowej generacji: prędkość mierzona w pikosekundach

Następca współczesnych pamięci RAM i flash ma być 1000-krotnie szybszy i mniej wymagający energetycznie. Jak udało się osiągnąć takie rezultaty?

Układy pamięci nowej generacji: prędkość mierzona w pikosekundach
Jarosław Balcerzak

17.08.2016 | aktual.: 10.03.2022 09:31

Pokonać ograniczenia obecnych układów pamięci

Badania przeprowadził 19-osobowy zespół naukowy z Centrum Liniowego Akceleratora Stanforda (SLAC) w Kalifornii. Kierował nimi Aaron Lindenberg, profesor inżynierii materiałowej oraz inżynierii na Uniwersytecie Stanforda. Wyniki pracy zespołu opublikowano w prestiżowym czasopiśmie naukowym Physical Review, wydawanym przez Amerykańskie Towarzystwo Fizyczne (APS).

Prowadzone badania miały znaleźć odpowiedź na problemy, jakie generuje obecnie użytkowana pamięć. Układy najszybsze, stosowane m.in. w pamięciach RAM – tracą dane po odłączeniu zasilania. Z kolei pamięci flash wykorzystywane do przechowywania sporych ilości informacji wykazują znacznie gorsze prędkości transferu.

Obraz

Zmiany struktury jako reakcje binarne

Badania dotyczyły opracowywanej obecnie technologii, opierającej się na nowej klasie półprzewodników. Obiecujące okazują się materiały zmiennofazowe: zmieniające strukturę z uporządkowanej krystalicznej do nieuporządkowanej amorficznej, umożliwiając w ten sposób przepływ lub blokadę elektronów.

Naukowcom udało się stworzyć technologię zdolną do błyskawicznych zmian pomiędzy oboma w/w stanami. Wykorzystując impulsy cieplne, grupa prof. Lindenberga była w stanie inicjować zmianę ze struktury amorficznej w krystaliczną w czasie poniżej 1 pikosekundy. To rezultat, jakiego nikomu wcześniej nie udało się osiągnąć.

Obraz

Na rewolucję przyjdzie nam jeszcze zaczekać

Przełom w badaniach wskazuje kierunek rozwoju i rozbudza spore oczekiwania. Przed środowiskiem naukowym jeszcze wiele rozstrzygnięć, jak choćby zdeterminowanie pełnej długości cyklu zmian stanów w obu kierunkach. Już dziś można być jednak pewnym, że zmiany jakie dokonają się w kolejnych generacjach pamięci będą naprawdę znaczące. Potwierdza się również znaczenie materiałów zmiennofazowych w opracowywaniu pamięci przyszłych generacji.

Umożliwią one skonstruowanie układów zawrotnie szybkich, a przy tym zachowujących pamięć po odłączeniu zasilania. Z kolei ich niski pobór mocy zagwarantuje nam w przyszłości elektronikę mobilniejszą i przyjazną środowisku bardziej niż kiedykolwiek wcześniej. Pozostaje oczekiwać na kolejne badania w tym kierunku – oby dorównały oczekiwaniom.

Źródło artykułu:WP Gadżetomania
Wybrane dla Ciebie
Komentarze (3)
© Gadżetomania
·

Pobieranie, zwielokrotnianie, przechowywanie lub jakiekolwiek inne wykorzystywanie treści dostępnych w niniejszym serwisie - bez względu na ich charakter i sposób wyrażenia (w szczególności lecz nie wyłącznie: słowne, słowno-muzyczne, muzyczne, audiowizualne, audialne, tekstowe, graficzne i zawarte w nich dane i informacje, bazy danych i zawarte w nich dane) oraz formę (np. literackie, publicystyczne, naukowe, kartograficzne, programy komputerowe, plastyczne, fotograficzne) wymaga uprzedniej i jednoznacznej zgody Wirtualna Polska Media Spółka Akcyjna z siedzibą w Warszawie, będącej właścicielem niniejszego serwisu, bez względu na sposób ich eksploracji i wykorzystaną metodę (manualną lub zautomatyzowaną technikę, w tym z użyciem programów uczenia maszynowego lub sztucznej inteligencji). Powyższe zastrzeżenie nie dotyczy wykorzystywania jedynie w celu ułatwienia ich wyszukiwania przez wyszukiwarki internetowe oraz korzystania w ramach stosunków umownych lub dozwolonego użytku określonego przez właściwe przepisy prawa.Szczegółowa treść dotycząca niniejszego zastrzeżenia znajduje się  tutaj.