Quo Vadis RAM, czyli nowe technologie dla pamięci operacyjnej

Rozwój pamięci RAM nieco ostatnio spowolnił. Już od kilku lat korzystamy z kolejnych inkarnacji technologii DDR, która nie ewoluuje zbyt szybko. Czy w najbliższym czasie możemy spodziewać się nowych, technologicznie zaawansowanych i ultraszybkich kości? Sprawdźmy!

Zdjęcie otwierające przedstawia dość duży wycinek historii pamięci RAM. Pierwszy moduł na górze to stary dobry SIMM z 1994 roku. Towarzyszył procesorom 286, 386 i 486 i był przełomem, bo można go było samodzielnie wpinać w płytę główną bez zbędnych wygibasów z pinami. Odpowiednie ukształtowanie zapobiegało nieprawidłowej instalacji. Drugi moduł to rozwinięcie 72 stykowe dla procesorów Pentium i AMD. Trzeci moduł to już dobrze nam znany DIMM dla kolejnych pokoleń Pentium, Celerona i AMD.

Moduły te porządziły niecałe 3 lata. Po nieudanym epizodzie z RIMM pojawił się wielki i wszechobecny DIMM DDR. Był to rok 1999 i pełnia kariery Pentium IV. Od tamtego momentu kości DDR towarzyszą nam nieprzerwanie. Obecnie w naszych blaszakach goszczą DIMM DDR3 widoczne poniżej. Za horyzontem coś jednak się powoli kształtuje...

Transfer danych oscyluje między 2133–4266 MT/s, a napięcie nieco obniżono do 1.2–1.65 V co jest całkiem dobrym wynikiem. Zmiana topologii na point-to-point (każdy kanał kontrolera łączy się z pojedynczym DIMM-em) także ma dać lepsze osiągi.

Prace nad DDR4 rozpoczęto 8 lat temu. Nie wiem, czy to dobrze, czy źle. Tak długi okres R&D może oznaczać, że technologia na wejściu będzie przestarzała. Prace nadzorowało ciało standaryzujące, czyli JEDEC. Jest to organizacja zrzeszająca największych producentów elektroniki, dbająca o uniformizację opracowywanych rozwiązań.

DDR4 pojawi się na rynku w ciągu najbliższych miesięcy. Do 2015 r. ma stanowić 50% oferowanych pamięci. Kilkanaście dni temu IDC opublikowało raport o stanie gotowości rynku na przyjęcie DDR4 i wyniki nie są zadowalające. Producenci będą produkować nowe moduły pod warunkiem, że ich początkowa cena będzie wysoka i znajdą się klienci chętni takową zapłacić. Zainteresowanie drogimi pamięciami jest jednak znikome, a przejście z zaawansowanym produktem od razu do sektora "econo" jest praktycznie nieopłacalne.

Tunele i... SSD

W dalszej perspektywie czekają nas dużo bardziej zaawansowane rozwiązania. Pierwszym z nich jest pamięć MRAM wykorzystująca tunelowy efekt magnetorezystancyjny. Szybkość działania jest praktycznie taka sama jak w przypadku klasycznego DRAM, a dodatkowym atutem jest nieulotność (non-volatile).

W pierwszych fazach rozwojowych znajdują się technologie TAS (Thermal-assisted switching) oraz STT (Spin-transfer torque), ale ich droga w kierunku praktycznych rozwiązań dopiero się zaczyna. Dodatkowo pojawiają się głosy mówiące o rezygnacji z klasycznej konfiguracji RAM na rzecz... SSD. Napędy te są już tak szybkie, że mogłyby przejąć na siebie rolę pamięci operacyjnej. Czy tak się stanie? Nie pogardził bym urządzeniem typu 2 w 1!