Samsung rozpoczyna produkcję 64 GB NAND 20 nm 

Samsung - jako pierwsza firma na świecie - rozpoczął produkcję pamięci 3-bit NAND flash w procesie technologicznym 20 nanometrów. Takich właśnie układów będzie się używać w pamięciach USB, Secure Digital i smartfonach.

Jak powiedział Seijin Kim, wiceprezydent Działu Planowania/Wprowadzania Pamięci Flash:

Samsung wiele razy przynosił na rynek wiodące rozwiązanie w zakresie pamięci NAND flash, jako pierwszy zaprezentował w październiku zeszłego roku 30 nm 3-bitowe układy pamięci. Rozpoczynając masową produkcję 64 GB układów 3-bit w 20 nm procesie technologicznym, spodziewamy się przyspieszyć adaptację rynkową naszych wysokowydajnych rozwiązań NAND, które wykorzystują technologię Toggle DDR, do zastosowań w których ważne są przy tym wysokie pojemności.

Dzięki użyciu procesu 20 nm Samsung może produkować o 60% więcej układów niż przy użyciu poprzedniego (czyli wspomnianego przez pana Kim procesu 30 nm). Nadto moduły mają wyższą wydajność dzięki zastosowaniu Toggle DDR (Double Data Rate) 1.0 (w poprzednich chipach było to SDR - Single Data Rate).

Źródło: en.akihabaranews.com