Samsung prezentuje nowe tranzystory oparte na grafenie

Grafen już dawno okrzyknięty został cudownym materiałem, który zrewolucjonizuje współczesną elektronikę. Tę formę węgla o grubości zaledwie jednego atomu cechuje wysokie przewodnictwo elektryczne, co daje szanse na zastąpienie wysłużonego już krzemu. Czy to właśnie Samsung da impuls do masowego rozwoju nowej technologii?

Obecnie urządzenia oparte na półprzewodnikach zbudowane są miliardów tranzystorów. Do tej pory najbardziej popularnym sposobem na zwiększenie wydajności takich urządzeń była ich miniaturyzacja (żeby zmniejszyć drogę, jaką pokonują elektrony), jednak od jakiegoś czasu mówi się o docieraniu do granicy miniaturyzacyjnej współczesnej technologii. Stąd też, żeby zwiększyć możliwości chociażby współczesnych procesorów, należy znaleźć odpowiednią alternatywę.

Grafen ma 200 razy lepsze właściwości przewodnikowe niż krzem, więc nic dziwnego, że to właśnie on stawiany jest na pierwszym miejscu potencjalnych zamienników. Największym problemem z budowaniem tranzystorów opartych na tym materiale jest fakt, że przepływu prądu przez grafen nie da się po prostu wyłączyć, ponieważ w przeciwieństwie do innych półprzewodników ma on strukturę metaliczną. Ten problem sprawiał, że pojawiało się wiele głosów sceptycznie oceniających możliwość wykorzystania tego materiału w przyszłości.

Żeby rozwiązać ten problem, Samsung postanowił zmienić zasady działania urządzeń opartych na półprzewodnikach. Zamiast łączyć grafen z materiałami, które zmniejszą jego właściwości przewodzące, Koreańczycy opracowali zmodyfikowaną grafenowo-krzemową diodę Schottky'ego. Nowy element, nazwany Barristor, ma pozwolić na kontrolowanie przepływu prądu w grafenie i tym samym skontrowanie grafenowych tranzystorów.

Źródło: akihabaranews